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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种具有高介电性能的BOPP/单层二维聚合物复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118878893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410901598.5，技术领域涉及：C08J7/00；该发明授权一种具有高介电性能的BOPP/单层二维聚合物复合薄膜及其制备方法是由肖萌;张梦蝶;杜伯学;刘浩梁;雷圣宾;刘磊;邹相龙;冯光原设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高介电性能的BOPP/单层二维聚合物复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高介电性能的BOPP单层二维聚合物复合薄膜及其制备方法，属于电容器金属化介质薄膜技术领域。1对BOPP薄膜进行表面处理；2将TAPB与不同长度烷氧基链的TPOCx分别溶解于有机溶剂中；3将制得的TAPB和TPOCx溶液混合，将混合溶液滴加铺散在LB膜拉膜机槽中的超纯水表面，静置至溶液挥发；4设置LB膜拉膜机滑障速度压缩；5滴加冰乙酸使其铺散在LB膜拉膜机槽中的超纯水表面，静置反应；6设置LB膜拉膜机滑障速度压缩形成单层二维聚合物膜；7将单层二维聚合物膜转移至BOPP薄膜表面沉积形成复合薄膜。本发明通过将单分子层二维聚合物沉积在BOPP薄膜上，制得复合薄膜，抑制电极‑介质界面电荷迁移，提升薄膜的绝缘特性。

本发明授权一种具有高介电性能的BOPP/单层二维聚合物复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高介电性能的BOPP单层二维聚合物复合薄膜的制备方法，其特征在于：将单分子层二维聚合物沉积在BOPP薄膜上，制得复合薄膜，抑制电极-介质界面电荷迁移，提升薄膜的绝缘特性；具体包括以下步骤：（1）对BOPP薄膜进行表面处理；（2）将TAPB与烷氧基碳链长度为0-12的2,5-二烷氧基-1,4-对苯二甲醛TPOCx分别溶解于有机溶剂中；（3）将制得的TAPB和TPOCx溶液混合，将混合溶液滴加铺散在LB膜拉膜机槽中的超纯水表面，静置至溶剂挥发；（4）设置LB膜拉膜机滑障速度压缩；（5）滴加冰乙酸使其铺散在LB膜拉膜机槽中的超纯水表面，静置反应；（6）设置LB膜拉膜机滑障速度压缩形成单层二维聚合物膜；（7）将单层二维聚合物膜转移至BOPP薄膜表面沉积形成复合薄膜。

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