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龙图腾网恭喜深圳市港祥辉电子有限公司申请的专利一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118412380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410778451.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法是由王刚;李成兵设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型β型氧化镓，所述n型β型氧化镓的上方设置有纯净β氧化镓；所述纯净β氧化镓的上方设置有n+β氧化镓以及p型NiOx，所述n+β氧化镓和p型NiOx的上方设置有源极金属，所述纯净β氧化镓的上方还设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属。通过采用纯净β氧化镓作为关断阻断电流区域，规避了p型掺杂难以实现的问题，不会由于异质结影响器件的导通特性；通过异质结构建寄生体二极管，帮助器件在未导通时续流。

本发明授权一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型β型氧化镓，所述n型β型氧化镓的上方设置有纯净β氧化镓；所述纯净β氧化镓的上方设置有n+β氧化镓以及p型NiOx，所述n+β氧化镓和p型NiOx的上方设置有源极金属，所述p型NiOx位于所述n+β氧化镓远离所述纯净β氧化镓的一侧，且所述p型NiOx和所述n+β氧化镓均与所述源极金属接触，所述纯净β氧化镓的上方还设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属，所述栅极金属位于该器件的最顶端；所述n型SiC衬底的厚度为2μm，所述n型β型氧化镓的厚度为5-8μm，所述纯净β氧化镓最大处的厚度为1μm，所述n+β氧化镓的厚度为500nm，所述p型NiOx的厚度为1μm，所述栅极介质的厚度为200nm，所述源极金属的厚度为200nm，所述栅极金属的厚度为100nm；所述n型SiC衬底的掺杂浓度为5e18cm-3，所述n型β型氧化镓的掺杂浓度为6e17cm-3，所述n+β氧化镓的掺杂浓度为2e19cm-3，所述p型NiOx的掺杂浓度为5e19cm-3。

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