上海得倍电子技术有限公司乔红瑗获国家专利权
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龙图腾网获悉上海得倍电子技术有限公司申请的专利一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602919U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421317900.4，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器是由乔红瑗;丁佳卿;解维祺;杨晓鹏设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器，包括：雪崩二极管，其包括：雪崩二极管掺杂区，其位于衬底中；SPAD第一电极，其位于雪崩二极管掺杂区的上表面；雪崩区薄膜，其位于雪崩二极管掺杂区之上；以及SPAD第二电极，其位于雪崩区薄膜的上表面；CMOS晶体管电路，其与所述雪崩二极管并列设置；以及第一互连结构，其与所述雪崩二极管及所述CMOS晶体管电路电连接。本实用新型的光传感器中集成了雪崩二极管和CMOS电路，二者并列设置，在不影响CMOS工艺的前提下制作出雪崩二极管，实现在一个芯片上完成传感器的全部功能。
本实用新型一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器在权利要求书中公布了：1.一种集成CMOS电路和雪崩二极管的光传感器，其特征在于，包括：雪崩二极管，其包括：雪崩二极管掺杂区，其位于衬底中；SPAD第一电极，其位于雪崩二极管掺杂区的上表面；雪崩区薄膜，其位于雪崩二极管掺杂区之上；以及SPAD第二电极，其位于雪崩区薄膜的上表面；CMOS晶体管电路，其与所述雪崩二极管并列设置；以及第一互连结构，其与所述雪崩二极管及所述CMOS晶体管电路电连接。
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