柔电(武汉)科技有限公司解明获国家专利权
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龙图腾网获悉柔电(武汉)科技有限公司申请的专利一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118562491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410737808.1，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法是由解明;张子栋;成一铭;吴晓馨设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法，包括采用原子层沉积法在核材料外包覆半导体薄膜至超过21nm，利用原子层刻蚀法将半导体薄膜刻蚀至厚度不大于5nm，所述核材料为非半导体的金属氧化物、二氧化硅。本发明采用原子层沉积（ALD）结合原子层刻蚀ALE技术，可以实现对于量子点尺寸的埃米级精度调控，有效解决了现有技术中无法实现这一精度的问题，从而提高了量子点的性能和应用范围；同时，避免了量子点在制备过程中容易发生团聚，提高了量子点的效率，而且形成均匀致密且厚度可控的量子点薄膜；可沉积不同种类的量子点薄膜，具有广泛的适用性，满足了市场对于多样化量子点的需求。
本发明授权一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备的量子点复合微球及方法在权利要求书中公布了：1.一种利用原子层沉积和原子层刻蚀制备量子点复合微球的方法，其特征在于，包括以下步骤：S01.采用原子层沉积法在核材料外包覆半导体薄膜；S02.利用原子层刻蚀法将步骤S01中所包覆的半导体薄膜刻蚀至厚度不大于5nm；S03.重复步骤S01~S02，依次在核材料外包覆多层不同种类的半导体薄膜；所述核材料为非半导体的金属氧化物，所述金属氧化物中的金属包括硅。
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