厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利垂直结构发光二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602938U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420626125.4，技术领域涉及：H10H20/819；该实用新型垂直结构发光二极管是由郭茂峰;沈侠强;黄丽云;李世焕;任伟一设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构发光二极管在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种垂直结构发光二极管，包括：外延层，至少包括由上至下依次堆叠的第一半导体层、发光层与第二半导体层，外延层包括相对的第一表面和第二表面；至少一个第一开孔，贯穿第二半导体层与发光层并暴露出第一半导体层；位于外延层的第一表面上的凸台，凸台在第一半导体层上的投影覆盖第一开孔的孔底。通过在第一开孔上方的外延层上设置凸台以补偿不同区域外延层的厚度差异，减少因外延层膜厚差异造成的外延缺陷加剧的问题，以及因热应力和热传导导致的外延层缺陷加剧的问题，提高了发光二极管的可靠性。同时，由于外延层的厚度较其在异质衬底上生长的总厚度显著降低，从而减少了对出光的吸收，进一步提高了发光二极管的亮度。
本实用新型垂直结构发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构发光二极管，其特征在于，包括：外延层，所述外延层至少包括由上至下依次堆叠的第一半导体层、发光层与第二半导体层，所述外延层包括相对的第一表面和第二表面，所述外延层的第二表面为所述第二半导体层远离所述发光层的一侧表面；至少一个第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第二半导体层与所述发光层并暴露出所述第一半导体层；位于所述外延层的第一表面上的凸台，所述凸台在所述第一半导体层上的投影覆盖所述第一开孔的孔底，所述第一开孔的孔底为靠近所述第一半导体层一侧的表面。
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