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龙图腾网获悉江苏晟驰微电子有限公司申请的专利一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118231267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410337419.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺是由王黎明设计研发完成，并于2024-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺，涉及芯片封装技术领域，所述适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺包括以下流程：a：将散热焊盘放置在基板框上，接着将芯片本体放置在散热焊盘的上方；b：随后在芯片本体上对称焊接上多个引线；c：在芯片本体的顶部铺上一层导热硅脂，随后在导热硅脂的顶部中间放置一个导热板，接着在导热板的顶部焊接散热片，然后在导热板的两侧对称焊接上导热柱，使绝缘胶体注满基板框；d：利用加热棒接触绝缘胶体对绝缘胶体进行加热，利用震动装置对基板框进行振荡10～30分钟。本发明通过在芯片本体的顶部和底部同时设置散热结构，进而使得该封装芯片的散热能力得到有效提高，增加了芯片本体的散热能力。

本发明授权一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺，其特征在于：所述适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺包括以下流程：a：将散热焊盘（2）放置在基板框（1）上，然后在散热焊盘（2）上方注入一层银浆层（3），接着将芯片本体（4）放置在散热焊盘（2）的上方；b：随后在芯片本体（4）上对称焊接上多个引线（5），并在引线（5）的一端焊接导电焊盘（6），并将导电焊盘（6）整齐排列在基板框（1）的顶部；c：在芯片本体（4）的顶部铺上一层导热硅脂（7），随后在导热硅脂（7）的顶部中间放置一个导热板（8），接着在导热板（8）的顶部焊接散热片（9），然后在导热板（8）的两侧对称焊接上导热柱（10），然后将固定架（12）对称放置在基板框（1）内部，最后将绝缘胶体（11）注入基板框（1）中，使绝缘胶体（11）注满基板框（1）；d：利用加热棒接触绝缘胶体（11）对绝缘胶体（11）进行加热，保证绝缘胶体（11）在震动过程中不凝固，利用震动装置对基板框（1）进行振荡10～30分钟，使基板框（1）中的绝缘胶体（11）中的气泡快速的在绝缘胶体（11）中向上溢出；所述绝缘胶体（11）的制备方法如下：S1、按重量份比例将1～3份阻燃剂、10份～20份导热能力好的硅脂与60～120份环氧树脂混合后形成的混合物加入搅拌装置，将混合物加热到100℃，然后利用搅拌装置对其进行缓慢搅拌混合10分钟～30分钟，搅拌杆转速每分钟10转；S2、停止搅拌装置的对S1中混合物的搅拌，保证混合物为100℃不变，然后利用超声波震动装置对混合物进行超声波除泡，使气泡上移溢出，减少混合物中的气泡，进而得到绝缘胶体（11）。

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