恭喜润新微电子(大连)有限公司任永硕获国家专利权
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龙图腾网恭喜润新微电子(大连)有限公司申请的专利含可变电势多场板结构的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410479493.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权含可变电势多场板结构的器件及其制备方法是由任永硕;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2024-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本含可变电势多场板结构的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件的制备方法，包括如下步骤：在叠层结构的势垒层上，进行图形化处理，并注入离子材料，形成电性隔离区域，所述电性隔离区域外保留用于形成电阻的导电区域；所述电性隔离区域位于相邻电阻之间和电阻与未连接的电极之间；在所述势垒层制备源电极、漏电极和电阻电极；在势垒层的上方进行沉积形成介电层，并刻蚀出栅电极孔；在所述介电层上填充金属并刻蚀掉多余金属，形成栅电极和多个场板；得到所述器件；多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过电阻连接在所述源电极和漏电极之间或所述栅电极与漏电极之间。
本发明授权含可变电势多场板结构的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含可变电势多场板结构的器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在叠层结构的势垒层上，进行图形化处理，并注入离子材料，形成电性隔离区域，所述电性隔离区域外保留用于形成电阻的导电区域；所述电性隔离区域位于相邻电阻之间和电阻与未连接的电极之间；在所述势垒层上制备源电极、漏电极和电阻电极；在势垒层的上方进行沉积形成介电层，并刻蚀出栅电极孔；在所述介电层上填充金属并刻蚀掉多余金属，形成栅电极和多个场板；得到所述器件；多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过所述电阻连接在所述源电极和漏电极之间或所述栅电极与漏电极之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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