恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司朱敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种用于ESD保护的SCR器件和静电保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602903U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420035632.0，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种用于ESD保护的SCR器件和静电保护电路是由朱敏;胡赵磊;陈信全设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于ESD保护的SCR器件和静电保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种用于ESD保护的SCR器件和静电保护电路，所述SCR器件包括SCR结构、NPN触发的BJT晶体管结构和PNP触发的GGNMOS晶体管结构，以使得所述SCR器件具有SCR电流泄放通路、BJT电流泄放通路和GGNMOS电流泄放通路，从而降低SCR器件的触发电压Vt，提高所述SCR器件的维持电压Vh来避免闩锁效应，增强所述SCR器件的ESD鲁棒性以抵御ESD脉冲的冲击。
本实用新型一种用于ESD保护的SCR器件和静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD保护的SCR器件，其特征在于，包括SCR结构、NPN触发的BJT晶体管结构和PNP触发的GGNMOS晶体管结构；所述SCR器件具有阳极和阴极，所述SCR器件包括衬底，相邻设置在所述衬底中的N阱区和P阱区，间隔设置在所述N阱区的第一N+区和第一P+区，间隔设置在所述P阱区的第二N+区和第二P+区，位于所述N阱区和P阱区交界处的第三N+区和第三P+区，所述第二N+区和第三N+区的衬底上设置有栅极结构，所述第二P+区、第三P+区、栅极结构和第二N+区连接所述阴极，所述第一N+区和第一P+区均连接所述阳极；其中，所述第一N+区、第一P+区、N阱区、P阱区、第二N+区和第二P+区形成所述SCR结构，所述第三N+区、P阱区和第二N+区形成PNP触发的GGNMOS晶体管结构，所述第三P+区、N阱区和第一P+区形成NPN触发的BJT晶体管结构。
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