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龙图腾网恭喜江苏联格科技有限公司申请的专利一种硅基高饱和探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117712201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311817293.8，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种硅基高饱和探测器及其制备方法是由郑志明设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基高饱和探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基高饱和探测器及其制备方法，n型轻掺杂区设置在SOI衬底上侧，n型轻掺杂区两侧形成n型重掺杂区，光吸收层设置在n型轻掺杂区的上侧，光吸收层上表面设置有光吸收层p型重掺杂区，二氧化硅窗口层设置在SOI衬底上侧且二氧化硅窗口层上开有与光吸收层匹配的渐变窗口，绝缘介质层设置在光吸收层和二氧化硅窗口层上侧，多个电极分别与n型重掺杂区或光吸收层p型重掺杂区连接，SOI衬底底部开孔，反射导热金属设置在SOI衬底底部开孔内以及SOI衬底底面上。本发明具有高响应度、高饱和光功率和机械结构稳定的优势。

本发明授权一种硅基高饱和探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基高饱和探测器，其特征在于：包含SOI衬底、n型轻掺杂区、光吸收层、二氧化硅窗口层、绝缘介质层、电极和反射导热金属，n型轻掺杂区设置在SOI衬底上侧，n型轻掺杂区两侧形成n型重掺杂区，光吸收层设置在n型轻掺杂区的上侧，光吸收层上表面设置有光吸收层p型重掺杂区，二氧化硅窗口层设置在SOI衬底上侧且二氧化硅窗口层上开有与光吸收层匹配的渐变窗口，绝缘介质层设置在光吸收层和二氧化硅窗口层上侧，多个电极分别与n型重掺杂区或光吸收层p型重掺杂区连接，SOI衬底底部开孔，反射导热金属设置在SOI衬底底部开孔内以及SOI衬底底面上；所述SOI衬底包含底部Si材料层、二氧化硅填埋层和顶层硅，底部Si材料层、二氧化硅填埋层和顶层硅由下至上依次设置，顶层硅采用轻掺杂或本征材料，且顶层硅的电阻率大于1欧姆厘米；所述SOI衬底底部中间开孔，孔由下至上贯穿至底部Si材料层顶部或者二氧化硅填埋层顶部，孔的横截面积范围大于光吸收层的面积范围；所述反射导热金属包含散热底部和反射导热部，散热底部面积与SOI衬底的底面匹配，反射导热部与SOI衬底底部开孔匹配，反射导热部插设在SOI衬底底部开孔内。

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