恭喜无锡中微亿芯有限公司曹正州获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡中微亿芯有限公司申请的专利基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117789795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311822179.4,技术领域涉及:G11C16/30;该发明授权基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF是由曹正州;单悦尔;谢达;徐玉婷;张艳飞设计研发完成,并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF。其包括:DFF功能单元体,包括锁存单元以及与所述锁存单元适配连接的可变阻值电阻单元,所述锁存单元与所述非易失性DFF的数据输入端口以及数据输出端对应连接;时序信号电路,接收工作指令信号,并基于所接收的工作指令信号配置DFF功能单元体的操作状态,其中,所配置DFF功能单元体的操作状态包括电形成操作、Reset复位操作、DFF功能、数据保存操作SET和或数据恢复操作RES;本发明基于可变阻值电阻实现非易失性DFF,与现有CMOS工艺兼容,降低写入的时间。
本发明授权基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF在权利要求书中公布了:1.一种基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF,其特征是,所述非易失性DFF包括:DFF功能单元体,包括锁存单元以及与所述锁存单元适配连接的可变阻值电阻单元,所述锁存单元与所述非易失性DFF的数据输入端口以及数据输出端对应连接,其中,所述锁存单元至少包括两个适配连接的锁存电路,可变阻值电阻单元至少包括两个可变阻值电阻,一锁存电路至少与一个可变阻值电阻适配连接;时序信号电路,接收工作指令信号,并基于所接收的工作指令信号配置DFF功能单元体的操作状态,其中,所接收的工作指令信号包括时钟信号CK、置位信号SEB、成形信号FOM、数据保存信号SET、数据恢复信号RES以及可变阻值电阻复位信号RET,所配置DFF功能单元体的操作状态包括电形成操作、Reset复位操作、DFF功能、数据保存操作SET和或数据恢复操作RES;基于成形信号FOM、编程电压PHV以及置位信号SEB,对DFF功能单元体内所有的可变阻值电阻进行电形成操作,以在电形成操作后,配置所有的可变阻值电阻处于低阻态LRS状态;基于数据输入端口加载的数据DATA、时钟信号CK、可变阻值电阻复位信号RET以及置位信号SEB,依次将可变阻值电阻单元内的可变阻值电阻进行Reset复位操作,以在Reset复位操作后,使得可变阻值电阻单元内相应的可变阻值电阻恢复处于高阻态HRS状态;DFF功能单元处于DFF功能时,基于时钟信号CK,采集数据输入端口加载的数据DATA并经数据输出端输出,且置位信号SEB有效时,将数据输出端配置为置位状态;基于数据保存信号SET、置位信号SEB以及编程电压PHV,对可变阻值单元进行数据保存操作SET,以在数据保存操作SET后,将数据输出端的输出状态利用一可变阻值电阻存储;利用可变阻值电阻单元对数据输出端的输出状态存储后,基于数据恢复信号RES以及置位信号SEB,对可变电阻单元进行数据恢复操作RES,以在数据恢复操作RES后,将相应可变阻值电阻存储数据输出端的输出状态恢复到所适配连接的锁存电路内;所述非易失性DFF应用于FPGA内时,所有的非易失性DFF均接收相同的时钟信号CK、置位信号SEB、成形信号FOM、数据保存信号SET、数据恢复信号RES以及可变阻值电阻复位信号RET;在FPGA内,按区域模式对所述区域内的非易失性DFF进行数据保存操作SET,且每个区域内非易失性DFF的数量不超过128个;所述锁存单元包括两个锁存电路时,以利用与数据输入端口对应连接的锁存单元形成第一级锁存,利用与数据输出端对应连接的锁存单元形成第二级锁存,其中,与第一级锁存适配连接的可变阻值电阻形成第一级可变阻值电阻,与第二级锁存适配连接的可变阻值电阻形成第二级可变阻值电阻;数据输出端的输出状态存储在第一级可变阻值电阻内时,在数据恢复操作RES时,将第一级可变阻值电阻所存储的数据恢复到第一级锁存内;数据输出端的输出状态存储在第二级可变阻值电阻内时,在数据恢复操作RES时,将第二级可变阻值电阻所存储的数据恢复到第二级锁存内;第一级可变阻值电阻的下电极BE与第一级锁存的锁存电路适配连接,第二级可变阻值电阻的下电极BE与第二级锁存的锁存电路适配连接;通过高压开关S1,配置第一级可变阻值电阻的上电极TE与编程电压PHV间的连接状态;通过高压开关S2,配置第二级可变阻值电阻的上电极TE与编程电压PHV间的连接状态;在电形成操作时,编程电压PHV处于第一编程电压;在数据保存操作SET时,编程电压PHV处于第二编程电压,其中,第二编程电压的电压值大于第一编程电压的电压值。
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