恭喜湖北九峰山实验室刘安获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117497414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311580701.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管是由刘安;吴畅;周瑞;李程程;刘捷龙;王凯;黄镇;何琦;邢绍琨设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管，方法包括以下步骤：以Fe‑dopeGa2O3为衬底，在衬底上依次由下至上外延生长缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层为n型掺杂的AlGaO势垒层与非故意掺杂的势垒层，沟道层为非故意掺杂的高电子迁移率半导体沟道层；在势垒层上沉积再生长掩膜层；蚀刻再生长区域；在再生长区域再生长源漏区域，并去除掩膜；在源漏区域制作源漏欧姆电极；隔离有源区域和无源区域；沉积栅金属电极，制得AlGaO高电子迁移率半导体Ga2O3场效应晶体管。本申请通过在Ga2O3场效应晶体管中加入高电子迁移率半导体材料，制得高迁移率、高耐压、低漏电的场效应晶体管器件。
本发明授权高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以Fe掺杂Ga2O3为衬底，在衬底上依次由下至上外延生长缓冲层、沟道层和势垒层，所述沟道层为非故意掺杂的高电子迁移率半导体沟道层，所述高电子迁移率半导体为GaN、GaAs、AlN、InP、金刚石、Si或石墨烯，所述势垒层为AlGaO；在势垒层上沉积再生长掩膜层；蚀刻再生长区域；在再生长区域再生长源漏区域，并去除掩膜；在源漏区域制作源漏欧姆电极；隔离有源区域和无源区域；沉积栅金属电极，制得AlGaO高电子迁移率半导体Ga2O3场效应晶体管。
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