恭喜电子科技大学贾利军获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116535204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310505142.2，技术领域涉及：C04B35/40；该发明授权LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料及其制备方法是由贾利军;蔡廷庆;易鹏辉;周娜设计研发完成，并于2023-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。本发明采用Bi‑Li‑P联合取代，引入Bi3+、Li+、P5+离子取代YIG中24c位的Y3+离子、16a和24d位的Fe3+离子，产生显著的晶格畸变大大降低了材料的烧结温度，使得样品铁磁共振线宽中的固相反应致宽分量降低。并在此基础上调节Li+、P5+离子的取代量，在烧结过程中控制铁氧体晶粒生长和气孔排除，使材料获得多重致密微结构；一方面有利于提升材料的体密度、降低气孔率，在获得高饱和磁化强度同时，减小铁磁共振线宽中的气孔致宽；另一方面，材料平均晶粒尺寸的增加有利于降低材料的矫顽力。
本发明授权LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LTCC环形器用低矫顽力YIG基板材料，其特征在于，所述YIG基板材料的组分为：Fe2O344.39～45.75mol％，Y2O329.74～29.89mol％，Bi2O324.51～24.63mol％，P2O50.2～0.71mol％，Li2CO30.1～0.37mol％。
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