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龙图腾网恭喜安徽光智科技有限公司申请的专利锗透镜基底上镀制8-12μmDLC加减反射增透膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310365839.4，技术领域涉及：C23C28/00；该发明授权锗透镜基底上镀制8-12μmDLC加减反射增透膜的制备方法是由梁献波;刘梦佳;尹士平设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗透镜基底上镀制8-12μmDLC加减反射增透膜的制备方法在说明书摘要公布了：一种锗透镜基底上镀制8‑12μmDLC加减反射增透膜的制备方法包括步骤：S1，将作为镜片的锗透镜基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，陪镀片的厚度为0.9‑1.5mm；S2，在第一面上镀制DLC膜层；S3，在第二面镀制减反射增透膜。S4，镀制完成后，待真空室冷却至80℃以下取出镜片。通过第一面镀制的作为外膜层的DLC膜层和第二面镀制的作为内膜层的减反射增透膜，基于陪镀片的8‑12μm红外波段的测试，8‑12μm红外波段的透过率能达到91％以上。内膜层和外膜层的配合既能满足恶劣环境工作又能满足红外透射率要求。

本发明授权锗透镜基底上镀制8-12μmDLC加减反射增透膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗透镜基底上镀制8-12μmDLC加减反射增透膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，将作为镜片的锗透镜基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，陪镀片的厚度为0.9-1.5mm；S2，在镜片的第一面上镀制DLC膜层，包括子步骤：S21，将清洁处理好的陪镀片和产品的镜片置于射频等离子类金刚石镀膜设备的下极板托盘上；S22，射频等离子类金刚石镀膜设备抽真空，然后通入氩气清洗；S23，启动射频等离子类金刚石镀膜设备，通入甲烷120sccm、氩气10sccm作为反应气源，开启射频电源，射频电源的射频功率为700-800W，沉积压力为0.1-10Pa，沉积时间为2800-3000s，从而在镜片的第一面上镀制DLC膜层；S24，沉积完成后，冷却后从射频等离子类金刚石镀膜设备中取出包含陪镀片和产品的镜片，准备镀制镜片的第二面；S3，在镜片的第二面上镀制减反射增透膜，包括子步骤：S30，将第一面镀制DLC膜层的包括陪镀片和产品的镜片的表面进行清洁处理；S31，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为150℃；S32，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1×10-3Pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A、采用氩气作为工作气体；S33，维持前述真空度，在镜片的第二面蒸镀第一Ge膜层，第一Ge膜层的沉积速率为0.4nms，控制第一Ge膜层的膜厚为20nm±1nm，离子源辅助蒸镀；S34，在镀制的第一Ge膜层上蒸镀第一ZnS膜层，第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第一ZnS膜层的膜厚为278nm±5nm，离子源辅助蒸镀；S35，在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二Ge膜层，第二Ge膜层的沉积速率为0.4nms，控制第二Ge膜层的膜厚为160nm±4nm，离子源辅助蒸镀；S36，在镀制的第二Ge膜层上蒸镀第二ZnS膜层，第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第二ZnS膜层的膜厚为583nm±5nm，离子源辅助蒸镀；S37，在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀YbF3膜层，YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制YbF3膜层的膜厚为980nm±5nm，离子源辅助蒸镀；S38，在镀制的YbF3膜层上蒸镀第三ZnS膜层，第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第三ZnS膜层的膜厚为137nm±4nm，离子源辅助蒸镀；S4，镀制完成后，待真空室冷却至80℃以下取出两面镀制好的镜片。

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