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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利一种阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211684012.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种阵列基板及其制作方法、显示面板是由刘念;陈钦盛设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板；阵列基板包括基板、栅极层、有源层，栅极层包括第一栅级子层和第二栅极子层；第一栅极子层和第二栅极子层不完全重叠，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第一栅级子层的熔点高于第二栅极子层的熔点；本申请通过将栅极层设置为第一栅极子层和第二栅极子层，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第二栅极子层在基板上的正投影与有源层在基板上的正投影不重叠，由于第一栅极子层的熔点高于第二栅极子层的熔点，从而在对有源层进行高温结晶工艺时，高温不会造成第一栅极子层熔融或断线。

本发明授权一种阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；栅极层，设置于所述基板上，所述栅极层包括层叠设置的第一栅级子层和第二栅极子层，所述第二栅极子层位于所述第一栅级子层背离所述基板的一侧；有源层，设置于所述栅极层远离所述基板的一侧；其中，所述有源层在所述基板上的正投影位于所述第一栅级子层在所述基板上的正投影内，所述第二栅极子层在所述基板上的正投影位于所述第一栅级子层在所述基板上的正投影内，所述有源层在所述基板上的正投影与所述第二栅极子层在所述基板上的正投影不重叠，以及所述第一栅级子层的熔点高于所述第二栅极子层的熔点；所述阵列基板还包括设置于所述有源层背离所述基板一侧的源漏极层，所述源漏极层包括层叠设置的第一源漏极子层和第二源漏极子层，所述第二源漏极子层位于所述第一源漏极子层背离所述基板的一侧；所述第一源漏极子层在所述基板上的正投影与所述有源层在所述基板上的正投影至少部分重叠且所述第一源漏极子层的边缘不超出所述有源层的边缘，所述第二源漏极子层在所述基板上的正投影与所述第一源漏极子层在所述基板上的正投影至少部分重叠；所述第一源漏极子层的熔点高于所述第二源漏极子层的熔点。

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