恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111574255.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。使用N2O气体对AlN层表面进行等离子体处理。得到带正电荷的氮原子团与氧原子团对AlN层表面进行等离子体处理。带正电荷的氮原子团会填充负极的AlN层中氮空位缺陷，减少缺陷。硅衬底表面的氧化物中分解出带负电荷的氧原子，与N2O等离子体中的氧原子原结合生成氧分子，减少杂质。氢气对AlN层表面进行等离子体处理，氢原子与氧原子也会结合生成H2O并被排出反应腔。有效减少AlN层中会存在的缺陷与杂质，有效提高AlN层的质量以提高最终得到的高电子迁移率晶体管的质量。
本发明授权提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述提高晶体质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底生长AlN层；使用N2O气体对所述AlN层表面进行等离子体处理，所述使用N2O气体对所述AlN层表面进行等离子体处理，包括：使所述AlN层位于磁控溅射设备的负极，在所述磁控溅射设备的正极电离N2O气体，得到带正电荷的氮原子团与氧原子团对所述AlN层表面进行等离子体处理；使用氢气对所述AlN层表面进行等离子体处理；在所述AlN层的表面依次生长AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层。
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