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恭喜天津理工大学印寿根获国家专利权

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龙图腾网恭喜天津理工大学申请的专利一种柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114267797B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111561475.4,技术领域涉及:H10K71/00;该发明授权一种柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法及应用是由印寿根;刘征;曹焕奇;姜东睿;张超;杨利营设计研发完成,并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明属于新能源材料领域技术领域,公开了一种柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法及应用。在气相法制备太阳能电池过程中,使用可细微移动的超细掩模细线,通过基底与掩膜细线之间的细微相对位移作为P1、P2、和P3图案的间隔,无需阻挡层即可制备出几何填充因子大于95%且高输出功率的太阳能电池模块。本发明避免了激光划P2和P3过程中易对划刻图案两侧的钙钛矿活性层及底部电极造成过度损伤的问题,因而具有对柔性和异形曲面基底兼容的优势。本发明能够制作高质量、高均匀性的钙钛矿活性层薄膜,同时显示出与激光划线法死区面积接近的模块,可在大面积柔性和异形基底上制备高效的钙钛矿太阳能电池模块。

本发明授权一种柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种高几何填充因子的柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法,其特征在于,所述高几何填充因子的柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块的制备方法采用气相掩膜的方法制备P1、P2、P3图案,具体包括:步骤一,利用掩膜细线L-a掩膜,在预清洁过的柔性基底或者异形基底上沉积太阳能电池模块的电极1,在基底上所形成的掩膜区域为P1;步骤二,取出真空室内的基底,将掩膜细线L-a与基底发生第一次相对微移,移动后形成掩膜细线L-b,制备电荷传输层1;步骤三,取出真空室内的基底,利用基底的可微调作用,将掩膜细线L-b与基底发生第二次微移,方向与掩膜细线L-b相对于掩膜细线L-a移动方向相同,移动后形成掩膜细线L-c,制备钙钛矿吸光层;步骤四,将掩膜细线L-c与基底发生第三次微移,方向与掩膜细线L-c相对于掩膜细线L-b移动方向相同,移动后形成掩膜细线L-d,制备电荷传输层2;步骤五,将掩膜细线L-d与基底发生第四次相对微移,方向与掩膜细线L-d相对于掩膜细线L-c移动方向相同,移动后形成掩膜细线L-e,制备电极2;步骤六,移除掩膜细线L-e,断开子电池的电极2互联,在基底形成P3,制得高几何填充因子的柔性和异形钙钛矿太阳能电池模块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津理工大学,其通讯地址为:300384 天津市西青区宾水西道391号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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