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龙图腾网恭喜陕西宏远航空锻造有限责任公司申请的专利胎膜及弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴锻造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114289666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534252.9，技术领域涉及：B21J13/02；该发明授权胎膜及弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴锻造方法是由苏丽芬;高金;邹龙龙;武茜宝;安苏娟设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本胎膜及弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴锻造方法在说明书摘要公布了：本发明属于自由锻领域，涉及胎膜及弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴锻造方法。弯曲胎膜用于锻造弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴，弯曲圆轴包括弯曲部和具有台阶的定位部；弯曲胎膜包括：上弯曲胎膜和下弯曲胎膜。

本发明授权胎膜及弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴锻造方法在权利要求书中公布了：1.一种弯曲胎模，其特征在于，用于锻造弯曲点与两端头距离比大于2的弯曲圆轴，弯曲圆轴包括弯曲部和具有台阶的定位部；弯曲胎模包括：上弯曲胎模和下弯曲胎模；上弯曲胎模的分模面向下凸，下弯曲胎模的分模面向下凹，上弯曲胎模的最凸点与下弯曲胎模的最凹点相对应；下弯曲胎模的型腔包括定位腔和用于形成弯曲部的弯曲腔；定位腔用于容纳定位部，定位腔上设置有凹槽，凹槽的空间为圆轴弯曲过程中台阶旋转所经过的区域，凹槽的两侧面分别作为台阶弯曲前后定位面；初始时未弯曲圆轴的台阶与前定位面相切，成型后弯曲圆轴的台阶与后定位面相切；上弯曲胎模的型腔用于容纳弯曲部；下弯曲模弯曲支撑点距离L的计算公式为：L＝4l1+l25；l1、l2分别为弯曲圆轴弯曲点距离两端头的距离；前后定位面的夹角与弯曲圆轴的弯曲角之和等于180度；弯曲圆轴的半径大于上弯曲胎模的型腔半径，小于下弯曲胎模的型腔半径；将形成台阶的坯料放置在下弯曲胎模中，并且台阶一侧与前定位面接触；将上弯曲胎模向下运动，坯料逐渐弯曲，台阶随着弯曲发生旋转，逐渐远离前定位面直到台阶另一侧与后定位面接触；上弯曲胎模继续向下运动，上下弯曲胎模闭合，最终弯曲成型，得到证荒型圆轴截面不变形又能保证弯曲位置和角度的荒形。

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