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龙图腾网恭喜北京平头哥信息技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111508269.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置是由符会利;刘辉设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置。该半导体器件包括中介片和多个芯片，芯片的第二表面通过连接结构耦接到中介片第一表面；其中，中介片用于实现多个芯片的互联；连接结构包括形成于中介片第一表面的第一介质层和形成于中介片第一表面且从第一介质层露出的第一导电引脚，还包括形成于芯片第二表面的第二介质层、和形成于芯片第二表面且从第二介质层露出的第二导电引脚；并且，第一介质层和第二介质层之间以及第一导电引脚与第二导电引脚之间，是在第一介质层和第二介质层预键合后通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合。本公开通过新的连接结构实现芯片和中介片之间的连接，芯片单位面积上的互连密度得以增大。

本发明授权半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：中介片；多个芯片，所述芯片的第二表面通过连接结构耦接到所述中介片的第一表面；其中，所述中介片用于实现多个所述芯片的互联；所述连接结构包括形成于所述中介片第一表面的第一介质层和形成于所述中介片第一表面且从所述第一介质层露出的第一导电引脚，还包括形成于所述芯片第二表面的第二介质层、和形成于所述芯片第二表面且从所述第二介质层露出的第二导电引脚；并且，所述第一介质层和所述第二介质层之间以及所述第一导电引脚与所述第二导电引脚之间，是在所述第一介质层和所述第二介质层预键合后通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合；其中，所述第一介质层与所述第二介质层进行预键合以相互接触，所述第一导电引脚与所述第二导电引脚通过引脚材料在所述退火过程中的扩散而结合。

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