恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111215486.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层，第二AlN层的生长温度比第一AlN层的生长温度高100～300℃，释放应力提高质量。生长第二AlN层的过程中，用Ar作为载气生长，促进Al原子的平面移动，提高生长均匀度。对生长第二AlN层过程中形成的AlN膜层，高温条件下H2处理降低位错，第二AlN层的质量提高，在第一AlN层与第二AlN层与生长的AlGaN缓冲层的质量也会得到提高，底层结构的质量提高可以提高最终在底层结构上延续生长得到的高电子迁移率晶体管外延片的质量。
本发明授权提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层，所述第二AlN层的生长温度比所述第一AlN层的生长温度高100～300℃；在所述第二AlN层上依次生长AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；生长所述第二AlN层，包括：以氩气作为载气向反应腔通入Al源与反应气体以生长AlN膜层；关闭Al源与反应气体；在温度为1050～1250℃的条件下向所述反应腔通入氢气处理所述AlN膜层；重复以上步骤直至得到所述第二AlN层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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