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恭喜北京中科镭特电子有限公司李纪东获国家专利权

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龙图腾网恭喜北京中科镭特电子有限公司申请的专利一种激光解键合方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113851414B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111036061.X,技术领域涉及:H01L21/68;该发明授权一种激光解键合方法是由李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯设计研发完成,并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种激光解键合方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种激光解键合方法,该激光解键合方法用于对待解键合件进行解键合,其中该待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。该激光解键合方法通过根据键合层材料的禁带宽度,先计算出激光束的本征吸收长波限;之后根据激光束的本征吸收长波限,即可确定最终激光束的波长,从而能够快速确定合适的激光波长,简化确定激光波长的难度,减少工作量,降低成本。且采用最终所确定的波长的激光束扫描键合层时,能够保证键合层的光吸收效率在较为大的区间,进而能够在较短的时间内即可将键合层加热到发生相变的状态,从而快速解除键合层与第一层结构及第二层结构的粘接,便于快速解键合,提高解键合效率。

本发明授权一种激光解键合方法在权利要求书中公布了:1.一种激光解键合方法,用于对待解键合件进行解键合,其中,所述待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构,其特征在于,所述激光解键合方法包括:将所述待解键合件保持在载物台上,其中,所述第一层结构与所述载物台接触;设置用于产生激光束的激光系统;根据所述键合层材料的禁带宽度Eg0,按照如下公式计算所述激光束的本征吸收长波限: 根据所述激光束的本征吸收长波限,确定所述激光束的波长为λ0,其中,λ0≤λc;设置吸盘组件,所述吸盘组件包括吸附在所述第二层结构表面的吸盘;且吸盘材料的禁带宽度为Eg2,其中,Eg2>Eg0;控制所述激光束从上到下依次穿过所述吸盘、第二层结构后聚焦在所述键合层;所述第二层结构材料的禁带宽度为Eg1,其中,Eg1>Eg0;控制所述激光束的光斑在所述键合层扫描,使所述键合层被加热发生相变,解除所述键合层与所述第一层结构及第二层结构的粘接;在激光扫描部分的键合层区域之后,抬升吸盘的对应吸附区,使该吸附区位置处的两个层结构分离;其中,吸盘组件具有吸附在第二层结构表面的吸附端面,吸附端面与第二层结构紧贴,以吸附第二层结构,在吸附端面上设置有多圈呈同心圆状分布的吸附道;在激光束由外圈向内圈依次扫描时,由外圈向内圈依次增大吸附道中的负压力,以使拉伸机构拉伸吸盘对第二层结构由外圈依次向内圈进行局部翘曲操作,使第二层结构和第一层结构之间,由外圈依次向内圈进行分离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京中科镭特电子有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区经海四路156号院14号楼1层C区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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