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龙图腾网恭喜江苏鲁汶仪器股份有限公司申请的专利一种干法刻蚀铌酸锂的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115506032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110697917.1，技术领域涉及：C30B33/12；该发明授权一种干法刻蚀铌酸锂的方法是由冯英雄;戴海成;刘建;车东晨;彭泰彦;许开东设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种干法刻蚀铌酸锂的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到刻蚀时间后，刻蚀完成。本发明采用干法刻蚀铌酸锂的方法，其气体采用Cl2H2进行铌酸锂刻蚀，不同于传统的氟基刻蚀铌酸锂体系。本发明可以使用介质材料或光刻胶做掩膜，应用于产线后，可优化生产流程，极大提升产能，节约成本。干法刻蚀铌酸锂可以使用传统的光刻胶掩膜或SiO，SiN，Si等介质材料作为硬掩膜，并获得较好的选择比和良好的形貌。

本发明授权一种干法刻蚀铌酸锂的方法在权利要求书中公布了：1.一种干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：该刻蚀步骤如下：步骤一、将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；铌酸锂为铌酸锂晶片，所述铌酸锂晶片作为待刻蚀材料；铌酸锂为生长于基底上方的铌酸锂薄膜所制成的晶片，所述含有铌酸锂薄膜的晶片作为待刻蚀材料；所述铌酸锂晶片、所述含有铌酸锂薄膜的晶片使用SiO薄膜或SiN薄膜或Si薄膜作为干法刻蚀中的掩膜材料，所述掩膜材料已完成图形化；所述SiO薄膜或所述SiN薄膜或所述Si薄膜为硬掩膜；步骤二、向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2、H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；刻蚀气体H2占总气体流量比例在20%-80%；刻蚀气体Cl2占总气体流量比例在5%-60%；步骤三、达到刻蚀时间后，刻蚀完成；刻蚀机刻蚀的上射频功率为：200w-1200w，下射频功率为：30w-600w；刻蚀机在刻蚀中的冷却液温度为0-80℃。

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