恭喜爱思开海力士有限公司张晶植获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利页缓冲器及包括其的半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521275.X，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权页缓冲器及包括其的半导体存储器装置是由张晶植;崔勋;李东训;崔允植设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本页缓冲器及包括其的半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本技术涉及页缓冲器及包括其的半导体存储器装置。一种页缓冲器包括：位线选择器，其被配置为将存储器单元阵列的位线连接至感测节点；预充电器，其被配置为将感测节点的电位预充电至第一电平；以及锁存器组件，其被配置为通过检测感测节点的电位从第一电平减小至第二电平的时间来感测数据。
本发明授权页缓冲器及包括其的半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种页缓冲器，该页缓冲器包括：位线选择器，该位线选择器将存储器单元阵列的位线连接至感测节点；预充电器，该预充电器将所述感测节点的电位预充电至第一电平；以及锁存器组件，该锁存器组件通过检测所述感测节点的电位从所述第一电平减小至第二电平的时间来感测数据，其中，所述锁存器组件包括：第一锁存器级，该第一锁存器级响应于锁存信号的上升沿而锁存与所述感测节点的电位相对应的数据并且响应于所述锁存信号的下降沿而向第一输出端子输出所锁存的数据；第二锁存器级，该第二锁存器级响应于所述锁存信号的所述上升沿而锁存从所述第一输出端子接收的数据并且响应于所述下降沿而向第二输出端子输出所锁存的数据；以及第三锁存器级，该第三锁存器级响应于所述锁存信号的所述上升沿而锁存从所述第二输出端子接收的数据并且响应于所述下降沿而向第三输出端子输出所锁存的数据。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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