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龙图腾网恭喜珠海多创科技有限公司申请的专利TMR磁场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113093070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110479973.8，技术领域涉及：G01R33/10；该发明授权TMR磁场传感器是由刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;周子尧;朱家训设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本TMR磁场传感器在说明书摘要公布了：TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；至少一个负电容电路，负电容电路与某一桥臂上的TMR单元并联，负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与一个输出端子相连，负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反。本发明在TMR磁场传感器中设置和TMR单元并联的负电容电路，通过负电容电路补偿推挽全桥电路的寄生电容，进而补偿推挽全桥电路的寄生电容，实现TMR磁场传感器的测量频率范围的拓展。

本发明授权TMR磁场传感器在权利要求书中公布了：1.TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，全桥电路的4个桥臂两两相交，共形成4个交点，两个供电端子设置在两个相对的交点处，两个输出端子设置在另外两个相对的交点处，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；其特征在于：还包括至少一个负电容电路，一个负电容电路与全桥电路中一个桥臂上的TMR单元并联，所述负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与输出端子相连，所述负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反；所述负电容电路包括运算放大器、第一电阻、第二电阻以及电容；所述运算放大器的反相输入端和一个输出端子相连，同时所述运算放大器的反相输入端经所述第一电阻和所述运算放大器的输出端相连，所述运算放大器的同相输入端经所述电容和接地的供电端子相连，同时所述运算放大器的同相输入端还经所述第二电阻与所述运算放大器的输出端相连；所述负电容电路能够补偿所述TMR单元和所述全桥电路的寄生电容。

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