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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种多源重构系统、重构方法、构建方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113247308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110394824.1，技术领域涉及：B64G1/24；该发明授权一种多源重构系统、重构方法、构建方法及应用是由李璐芳;林长青;孙胜利;周双喜;喻琪超设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多源重构系统、重构方法、构建方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于SRAM型FPGA在轨可靠性技术领域，公开了一种多源重构系统、重构方法、构建方法及应用，基于FPGA的多源重构方法包括：对FPGA存储器板进行通电，反熔丝FPGA从PROM或者Flash加载到SRAM型FPGA内，进行上电自动加载；地面测试通过上位机，在轨运行通过卫星总线指令对FPGA从不同的存储器芯片PROM或flash和norflash中不同程序进行多源全部重构或动态定时局部重构定时刷新；地面测试通过上位机，在轨运行通过卫星总线指令对norflash进行程序上注，并且可以从上注的新程序中对SRAM型FPGA进行定时刷新和全部重构。本发明有效的实现了在轨故障处理。

本发明授权一种多源重构系统、重构方法、构建方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于FPGA的多源重构方法，其特征在于，所述基于FPGA的多源重构方法包括：对FPGA存储器板进行通电，反熔丝FPGA从PROM或者Flash加载到SRAM型FPGA内，进行上电自动加载；由于norflash存储空间较大，可以存储4套程序，因此通过卫星总线指令对FPGA从不同的PROM或flash和norflash存储器芯片中的不同程序进行多源全部重构或动态定时局部重构，并进行定时刷新；还可以通过卫星总线指令对norflash进行在轨程序擦写和回读，并且可以对norflash上注的程序进行定时刷新和重配置；所述基于FPGA的多源重构方法包括以下步骤：步骤一，上电并将SRAM型FPGA通过与反熔丝FPGA的selectmap接口，从外部默认上电存储器在轨运行PROM或者地面测试flash写入到SRAM型FPGA程序数据，进行上电自动加载；步骤二，地面测试通过上位机，在轨通过卫星总线通信指令对norflash存储器进行程序擦写和回读，实现在轨程序上注；由于norflash存储空间较大，根据片选选择可以存储4套程序，因此首先对norflash进行全片擦除，擦除完成后对其进行片选[0:3]选择写入，最后通过回读程序与实际写入的程序进行对比，确保上注程序的有效性；按照上述步骤通过片选选择的方式对norflash内4套的程序进行上注，norflash内4套程序上注完成；步骤三，地面测试通过上位机，在轨通过卫星总线通信指令，进行多源选择定时刷新以及程序重构，根据需求切换不同的程序源并且进行在轨定时刷新和重构，从PROM内的程序和norflash内4套的程序对SRAM型FPGA进行定时刷新和重配置的操作，实现了SRAM型FPGA多源存储器的在轨定时刷新和重构；同时可以实时回读和验证SRAM型FPGA的状态寄存器，实时监测FPGA在轨运行的健康状态。

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