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龙图腾网恭喜中化天康科技(南京)有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司申请的专利一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113358251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110312564.9，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片是由高国民;赵建兵;黄炜;田开芳;牛孟霄设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括主体，主体包括硅片衬底，所述硅片衬底上设置有敏感电阻层和绝缘层，硅片衬底上部还形成有多孔硅结构，硅片上设置有铝膜，主体底部装设有一半封装部，半封装部内腔中设置有阻尼释放结构，硅片衬底底部设置有与封装部连接的容纳部，容纳部设置有第一吸附层和第二吸附层，第一吸附层安装在硅片衬底底部的封装面上，第二吸附层安装在半封装部上，第一吸附层和第二吸附层上分别装设有第一贴合模和第二贴合模，第一贴合模和第二贴合模上设置有位置相对错开分布的容纳孔，主体与半封装部连接处还装设导热部和透气部，主体与半封装部之间通过叠块连接，使得主体具有很好的导热性能、透气性和缓冲性。

本发明授权一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片在权利要求书中公布了：1.一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片,其特征在于,所述芯片包括主体（1），所述主体（1）包括硅片衬底（2），所述硅片衬底（2）上设置有敏感电阻层和绝缘层，所述硅片衬底（2）上部还形成有多孔硅结构，所述硅片衬底（2）上部设置有铝膜，主体（1）底部装设有一半封装部（3），半封装部（3）内腔中设置有阻尼缓冲结构（4），所述硅片衬底（2）底部设置有与半封装部（3）连接的容纳部（5），所述容纳部（5）设置有第一吸附层（6）和第二吸附层（7），所述第一吸附层（6）安装在硅片衬底（2）底部的封装面上，所述第二吸附层（7）安装在半封装部（3）上，所述第一吸附层（6）和第二吸附层（7）上分别装设有第一贴合模（8）和第二贴合模（9），所述第一贴合模（8）和第二贴合模（9）上设置有位置相对错开分布的容纳孔（10），所述主体（1）与半封装部（3）连接处还装设有导热部（11）和透气部（12），所述主体（1）与半封装部（3）之间通过叠块（13）连接，所述主体（1）与半封装部（3）的连接处设置有密封部，所述阻尼缓冲结构（4）安装在叠块（13）内部位置，所述阻尼缓冲结构（4）包括一阻尼释放孔（15），阻尼释放孔（15）均匀分布在叠块（13）内部。

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