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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110258672.2，技术领域涉及：G11C11/4094；该发明授权半导体存储装置是由佐藤贵彦设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体存储装置，与活化字线的位置无关，该半导体存储装置可以抑制干扰的发生。一种半导体存储装置，包括多个字线、位线、多个存储器单元，连接到多个字线中的任何一条字线和位线，感测放大器，连接到位线；以及控制部，以控制使位于多个字线中的活化字线越靠近感测放大器，活化感测放大器的时序就越晚。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括：多个字线；位线；多个存储器单元，连接到该多个字线中的任何一条字线和该位线；多个感测放大器，连接到该位线，且包括位于该多个存储器单元的第一侧的第一感测放大器列及位于该多个存储器单元的第二侧的第二感测放大器列，其中该第二侧隔着该多个存储器单元而成为该第一侧的相反侧；以及控制部，控制以使在该多个字线中的活化字线的位置越靠近第一感测放大器列或该第二感测放大器列中较近的一者，则活化该感测放大器的时序就越晚；该多个存储器单元的每一者分别透过该位线与该第一感测放大器列或该第二感测放大器列中较近的一者的一感测放大器连接；该控制部包括：第一MOS电容器以及第二MOS电容器，其中，当该多个字线中的活化字线的位置越靠近该感测放大器，则该控制部对该第一MOS电容器和该第二MOS电容器充电以控制活化该感测放大器的时序，其中，当该多个字线中的活化字线的位置越远离该感测放大器，则该控制部对该第一MOS电容器和第二MOS电容器之一进行充电，以控制活化该感测放大器的时序；该控制部还包括：电路部，包含一电阻器，该电阻器的一端透过第一连接节点连接该第一MOS电容器和该第二MOS电容器。

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