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龙图腾网恭喜深圳比特微电子科技有限公司申请的专利复合逻辑门电路和计算设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114793114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110105646.6，技术领域涉及：H03K19/094；该发明授权复合逻辑门电路和计算设备是由孔维新;于东;田文博;范志军;杨作兴设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合逻辑门电路和计算设备在说明书摘要公布了：本公开涉及复合逻辑门电路和计算设备。复合逻辑门电路包括：包括第一逻辑门电路和反相器电路的简单逻辑门电路、第一PMOS管和第一NMOS管；第一逻辑门电路被配置为接收第一输入信号和第二输入信号，并且输出第一输出信号，反相器电路包括第二PMOS管和第二NMOS管，第二PMOS管的源极耦接到电源输入端、漏极耦接到第二NMOS管的漏极、栅极被配置为接收第一输出信号，第二NMOS管的源极耦接到接地端、栅极被配置为接收第一输出信号，第一PMOS管的源极耦接到第二PMOS管的漏极、漏极耦接到第一NMOS管的漏极、栅极被配置为接收第三输入信号，第一NMOS管的源极被配置为接收第一输出信号、栅极被配置为接收第三输入信号，第一逻辑门电路为与非门电路或者或非门电路。

本发明授权复合逻辑门电路和计算设备在权利要求书中公布了：1.一种复合逻辑门电路，其特征在于，所述复合逻辑门电路包括：简单逻辑门电路、第一PMOS管和第一NMOS管；其中，所述简单逻辑门电路包括第一逻辑门电路以及反相器电路，其中，所述第一逻辑门电路被配置为接收第一输入信号和第二输入信号，并且输出第一输出信号，其中，所述反相器电路包括第二PMOS管和第二NMOS管，所述第二PMOS管的源极耦接到电源输入端、漏极耦接到所述第二NMOS管的漏极、栅极被配置为接收所述第一输出信号，所述第二NMOS管的源极耦接到接地端、漏极耦接到所述第二PMOS管的漏极、栅极被配置为接收所述第一输出信号，其中，所述第一PMOS管的源极耦接到所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的漏极、漏极耦接到所述第一NMOS管的漏极、栅极被配置为接收第三输入信号，其中，所述第一NMOS管的源极被配置为接收所述第一输出信号、漏极耦接到所述第一PMOS管的漏极、栅极被配置为接收所述第三输入信号，以及其中，所述简单逻辑门电路为与门电路或者或门电路，并且所述第一逻辑门电路相应地为与非门电路或者或非门电路。

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