恭喜富士电机株式会社田村隆博获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113767477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080026724.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由田村隆博;小野泽勇一设计研发完成，并于2020-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置，该半导体装置具备：包含体施主的半导体基板；以及第一导电型的第一缓冲区，其设置于半导体基板的下表面侧，并且在半导体基板的深度方向上具有一个以上的掺杂浓度峰和一个以上的氢浓度峰，第一缓冲区的掺杂浓度峰中的最靠近半导体基板的下表面的最浅浓度峰的掺杂浓度为半导体基板的所述体施主浓度的50倍以下。最浅浓度峰的掺杂浓度可以低于在半导体基板的上表面与下表面之间流通额定电流的110的电流的情况下的基准载流子浓度。
本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：包含体施主的半导体基板；以及第一导电型的第一缓冲区，其设置于所述半导体基板的下表面侧，并且在所述半导体基板的深度方向上具有一个以上的掺杂浓度峰和一个以上的氢浓度峰，所述第一缓冲区的所述掺杂浓度峰中的最靠近所述半导体基板的所述下表面的最浅浓度峰的掺杂浓度为所述半导体基板的体施主浓度的50倍以下，所述最浅浓度峰的掺杂浓度低于在所述半导体基板的上表面与所述下表面之间流通额定电流的110的电流的情况下的基准载流子浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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