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龙图腾网恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010995776.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种薄膜体声波谐振器的制造方法是由黄河设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜体声波谐振器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：形成第一电极、第二电极和压电层，其中压电层位于第一电极和第二电极之间；在第一电极上形成支撑层；图形化支撑层，形成贯穿支撑层的第一空腔；在支撑层上形成第一衬底，第一衬底遮盖第一空腔；第一电极、第二电极至少其中之一具有拱形桥，具有拱形桥的电极的形成方法包括：形成环形牺牲凸起；沉积导电材料层，覆盖环形牺牲凸起及环形牺牲凸起周边区域；去除环形牺牲凸起形成环形空隙。本发明用电极的拱形桥结构从有效谐振区的外周包围整个有效谐振区，提高了谐振器的机械强度。

本发明授权一种薄膜体声波谐振器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：形成第一电极、第二电极和压电层，其中所述压电层位于所述第一电极和所述第二电极之间；在所述第一电极上形成支撑层；图形化所述支撑层，形成贯穿所述支撑层的第一空腔；在所述支撑层上形成第一衬底，所述第一衬底遮盖所述第一空腔；所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有拱形桥，拱形桥围成封闭的环形，拱形桥与压电层的表面形成环形空隙，电极的拱形桥作为有效谐振区的边界，包围整个有效谐振区，具有拱形桥的电极的形成方法包括：形成连续封闭的环形牺牲凸起；沉积导电材料层，覆盖所述环形牺牲凸起及所述环形牺牲凸起周边区域；去除所述环形牺牲凸起形成环形空隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。