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龙图腾网恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010995812.X，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器是由黄河设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器，其中声波谐振器包括：压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次叠置的第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极至少其中之一包括向远离所述压电层表面方向凸起的环形拱形桥，所述拱形桥的内表面围成环形空隙，所述环形空隙围成的区域为所述谐振器的有效谐振区。本发明用拱形桥所在的区域界定有效谐振区的边界，并使有效谐振区边界处的第一电极和或第二电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。

本发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次叠置的第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极至少其中之一包括向远离所述压电层表面方向凸起的环形拱形桥，所述拱形桥的内表面围成环形空隙，所述环形空隙围成的区域为所述谐振器的有效谐振区；在所述有效谐振区外的部分区域所述第一电极和所述第二电极非相对；所述压电层中设有沟槽，所述沟槽与所述拱形桥相对；所述沟槽贯穿所述压电层；所述沟槽为连续的结构或所述沟槽为间断的结构；沟槽的侧壁与所述有效谐振区的边界重合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。