恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈重磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010930452.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制造方法是由陈重磊;李承宗;王文生;郭建利设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本揭露实施例是有关于一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括储存器件，其中储存器件包括存储元件、第一介电层及光屏蔽元件。存储元件包括储存节点及储存晶体管栅极，其中储存晶体管栅极位于储存节点之上。第一介电层位于储存晶体管栅极的一部分之上。光屏蔽元件位于第一介电层上且包括半导体层。半导体层与存储元件电隔离，其中在平面上沿着存储元件与光屏蔽元件的堆叠方向的垂直投影中，光屏蔽元件与储存晶体管栅极的周界的至少一部分交叠，且堆叠方向垂直于所述平面。
本发明授权图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：储存器件，包括：存储元件，包括：储存节点；以及储存晶体管栅极，位于所述储存节点之上；第一介电层，位于所述储存晶体管栅极的一部分之上；以及光屏蔽元件，位于所述第一介电层上且包括：半导体层，与所述存储元件电隔离，其中在平面上沿着所述存储元件与所述光屏蔽元件的堆叠方向的垂直投影中，所述光屏蔽元件与所述储存晶体管栅极的周界的至少一部分交叠；以及第二金属硅化物层，位于所述半导体层之上且与所述半导体层接触，其中所述堆叠方向垂直于所述平面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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