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龙图腾网恭喜广东汉岂工业技术研发有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010837533.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由林盈志;张峰溢设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极200附近的位置上蚀刻形成有与外延层100相接的蚀刻孔700；蚀刻孔700内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层910；蚀刻孔700中填充形成有金属接触件800。本发明的半导体器件及其制造方法设计新颖，实用性强。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底以及形成于该衬底上的外延层100，该外延层100上设置有栅极200，栅极200侧壁上形成有阻挡层210；基础结构还包括覆盖在外延层100上并分别与栅极200、阻挡层210齐高的第一介电层300，覆盖形成于栅极200、第一介电层300以及阻挡层210上的掩蔽层400以及覆盖形成于掩蔽层400上的第二介电层500；步骤S2、在第二介电层500上涂布光刻胶600；步骤S3、利用光刻胶600通过光刻工艺，在基础结构的位于栅极200附近的位置上蚀刻形成与外延层100相接的蚀刻孔700，然后去掉光刻胶600；步骤S4、采用旋转涂布材料填充蚀刻孔700，从而在蚀刻孔700中形成填充体710；步骤S5、对填充体710进行蚀刻；并保留填充体710的位于蚀刻孔700底部的一部分，以此作为支撑体720；步骤S6、通过ALD技术，在第二介电层500顶面、支撑体720顶面以及蚀刻孔700的位于支撑体720上方的内壁上沉积形成ALD层910；步骤S7、通过蚀刻技术，将ALD层910的覆盖在第二介电层500顶面、支撑体720顶面上的部分蚀刻掉，同时剥除支撑体720；步骤S8、在蚀刻孔700中填充形成金属接触件800。

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