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龙图腾网恭喜务实印刷有限公司申请的专利电阻器几何形状获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071825.6，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权电阻器几何形状是由理查德·普赖斯;罗伯特·曼设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻器几何形状在说明书摘要公布了：提供了一种薄膜电阻器和一种用于制造薄膜电阻器的方法。薄膜电阻器包括第一端子、第二端子以及电阻体，该电阻体在第一端子和第二端子之间提供电阻电流路径，并且该方法包括：将导电材料的第一层沉积到支撑结构和电阻体中的至少一个上，将第一光刻掩膜施加到第一层，并蚀刻第一层以形成第一端子；并且将导电材料的第二层沉积到支撑结构和电阻体中的至少一个上，将第二光刻掩膜施加到第二层，并蚀刻第二层以形成第二端子，其中第一光刻掩膜不同于第二光刻掩膜，并且第一端子和第二端子的横向间距小于第一光刻掩膜和第二光刻掩膜的平面内最小特征尺寸。

本发明授权电阻器几何形状在权利要求书中公布了：1.一种用于在支撑结构上制造薄膜电阻器的方法，所述薄膜电阻器包括第一端子、第二端子以及电阻体，所述电阻体在所述第一端子和所述第二端子之间提供电阻电流路径，所述方法包括：将导电材料的第一层沉积到所述支撑结构和所述电阻体中的至少一个上，将第一光刻工艺施加到所述第一层，并蚀刻所述第一层以形成所述第一端子；并且将导电材料的第二层沉积到所述支撑结构和所述电阻体中的至少一个上，将第二光刻工艺施加到所述第二层，并蚀刻所述第二层以形成所述第二端子，其中，所述第一光刻工艺不同于所述第二光刻工艺，并且所述第一端子和所述第二端子的横向间距小于所述第一光刻工艺和第二光刻工艺的平面内最小特征尺寸，其中，所述第一端子和所述第二端子的所述横向间距为非零，并且其中，所述第一端子和所述第二端子由各自独立的薄膜层形成。

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