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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利三层层次型存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114341816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059385.2，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权三层层次型存储器系统是由V·S·拉梅什;A·科尔日;R·C·墨菲;S·M·斯蒂芬斯设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本三层层次型存储器系统在说明书摘要公布了：本文中描述了与三层层次型存储器系统有关的系统、设备和方法。三层层次型存储器系统可以利用持久存储器来存储通常存储在非持久存储器中的数据，从而以比仅依赖非持久存储器的方法更低的成本增加分配给计算系统的存储空间量。实例设备可包含持久存储器和一或多个非持久存储器，所述非持久存储器配置成在所述设备从输入输出IO装置接收存取存储在所述持久存储器中的数据的请求之前将与所述IO装置相关联的地址映射到逻辑电路系统中的地址，并在所述设备接收到所述请求并存取所述数据之后将与所述IO装置相关联的所述地址映射到非持久存储器中的地址。

本发明授权三层层次型存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种三层层次型存储器设备100，201，301，其包括：持久存储器216，316；第一非持久存储器230，330；以及第二非持久存储器219，319，其配置成：在所述设备100，201，301从输入输出IO装置210，310接收存取存储在所述持久存储器216，316中的数据的请求之前，将与所述IO装置210，310相关联的地址映射到逻辑电路系统104，204，304中的地址；且在所述设备100，201，301接收到所述请求并存取所述数据之后，将与所述IO装置210，310相关联的所述地址映射到所述第一非持久存储器230，330中的地址，其中：与所述IO装置210，310相关联的所述地址与由所述第二非持久存储器219,319映射的与所述IO装置210，310相关联的其它地址连续；且所述第一非持久存储器230,330中的由所述第二非持久存储器219,319将与所述IO装置210，310相关联的所述地址映射到的所述地址不与所述第一非持久存储器230,330中的所述第二非持久存储器219,319映射到的其它地址连续。

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