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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010798546.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由岸本裕幸;加藤浩朗;西口俊史;下村纱矢;富田幸太设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体部、设置于半导体部的背面上的第一电极、设置于半导体部的表面上的第二电极、以及控制电极，在半导体部与第二电极之间配置于设置于半导体部的沟槽的内部，通过第一绝缘膜与半导体部电绝缘，通过第二绝缘膜与第二电极电绝缘。控制电极包括设置于从第一绝缘膜以及第二绝缘膜分离的位置的第三绝缘膜。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第一导电型的第三半导体层。第一层在第一电极与第二电极之间延伸。第二层设置于第一层与第二电极之间。第三层选择性地设置于第二层与第二电极之间。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：半导体部；第一电极，设置于所述半导体部的背面上；第二电极，设置于所述半导体部的表面上；控制电极，在所述半导体部与所述第二电极之间配置于设置于所述半导体部的沟槽的内部；第一绝缘膜，将所述控制电极与所述半导体部电绝缘；以及第二绝缘膜，将所述控制电极与所述第二电极电绝缘，包括延伸到所述控制电极中的突起部，所述半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及所述第一导电型的第三半导体层，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述控制电极位于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第二半导体层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘膜与所述控制电极相对，所述第三半导体层选择性地设置于所述第二半导体层与所述第二电极之间，配置于与所述第一绝缘膜接触的位置，与所述第二电极电连接，所述第二绝缘膜的沿着所述突起部的延伸方向的长度，比从所述突起部的前端到所述控制电极的下端的距离短。

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