恭喜美光科技公司李时雨获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010625641.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统是由李时雨;李奎锡;黄祥珉设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在说明书摘要公布了：本专利申请涉及形成微电子装置的方法，并且涉及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括在晶体管之上形成具有矩形环水平横截面形状的间隔物结构，所述间隔物结构的一部分与所述晶体管的漏极区水平重叠。在所述间隔物结构和所述晶体管之上形成掩蔽结构，所述掩蔽结构表现出其中的开口，所述开口与所述晶体管的所述漏极区和所述间隔物结构的所述部分水平重叠。使用所述掩蔽结构和所述间隔物结构的所述部分作为蚀刻掩模来去除隔离结构的覆盖所述晶体管的所述漏极区的一部分，以形成沟槽，所述沟槽竖直延伸穿过所述隔离结构到达所述晶体管的所述漏极区。在所述隔离结构中的所述沟槽内形成漏极接触结构。
本发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在晶体管之上形成具有矩形环水平横截面形状的间隔物结构，所述间隔物结构的一部分与所述晶体管的漏极区水平重叠；在所述间隔物结构和所述晶体管之上形成掩蔽结构，所述掩蔽结构表现出其中的开口，所述开口与所述晶体管的所述漏极区和所述间隔物结构的所述部分水平重叠；使用所述掩蔽结构和所述间隔物结构的所述部分作为蚀刻掩模来去除隔离结构的覆盖所述晶体管的所述漏极区的一部分，以形成沟槽，所述沟槽竖直延伸穿过所述隔离结构到达所述晶体管的所述漏极区；以及在所述隔离结构中的所述沟槽内形成漏极接触结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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