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龙图腾网恭喜博格华纳驱动系统(苏州)有限公司申请的专利一种IGBT过流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010616083.2，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权一种IGBT过流保护电路是由边振宇;易川智;季文彪设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT过流保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种IGBT过流保护电路，包括用于产生过流信号的比较器、用于监测过流信号以及控制IGBT的驱动芯片、根据预设吸收值进行过电流吸收的电流吸收单元，其中，比较器的同相输入端连接有用于采集IGBT电流信号的电流采样单元，比较器的反相输入端连接有保护阈值设置单元，比较器的输出端与电流吸收单元连接，驱动芯片分别与比较器的输出端、IGBT连接，电流吸收单元还与IGBT连接。与现有技术相比，本发明通过实时采样IGBT电流信号，能够及时进行过流保护响应，利用电流吸收单元吸收电流，能够限制大电流的发生，从而避免过流保护时产生较大的关断尖峰与损耗、避免IGBT器件受损。

本发明授权一种IGBT过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种IGBT过流保护电路，其特征在于，包括用于产生过流信号的比较器（1）、用于监测过流信号以及控制IGBT的驱动芯片（3）、根据预设吸收值进行过电流吸收的电流吸收单元（2），所述比较器（1）的同相输入端连接有用于采集IGBT电流信号的电流采样单元（101），所述比较器（1）的反相输入端连接有保护阈值设置单元（102），所述比较器（1）的输出端与电流吸收单元（2）连接，所述驱动芯片（3）分别与比较器（1）的输出端、IGBT连接，所述电流吸收单元（2）还与IGBT连接；所述电流吸收单元（2）包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的D极和第二NMOS管的D极均分别连接至第二电阻的一端、IGBT的G极，所述第二电阻的另一端连接至驱动芯片（3），所述第一NMOS管的G极和第二NMOS管的G极分别连接有第一分压模块和第二分压模块，所述第一分压模块的一端连接至IGBT的G极，所述第一分压模块的另一端连接至IGBT的E极，所述第二分压模块的一端连接至第一NMOS管的S极，所述第二分压模块的另一端连接至IGBT的E极，所述第二NMOS管的S极连接至IGBT的E极；所述第一分压模块包括串联的第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端连接至IGBT的G极，所述第三电阻的另一端分别连接至第一NMOS管的G极、第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接至IGBT的E极；所述第二分压模块包括串联的第五电阻和第六电阻，所述第五电阻的一端连接至第一NMOS管的S极，所述第五电阻的另一端分别连接至第二NMOS管的G极、第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接至IGBT的E极。

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