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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010223397.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构是由王怡人;谢元智设计研发完成，并于2020-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构在说明书摘要公布了：在位于衬底上的导电材料部分之上形成层堆叠。层堆叠包含第一氧化硅层、通过化学气相沉积形成的氮化硅层以及第二氧化硅层。在层堆叠之上形成包括开口的图案化刻蚀掩模层。通过使用各向同性刻蚀工艺各向同性刻蚀下伏在图案化刻蚀掩模层中的开口之下的层堆叠的部分，形成延伸穿过层堆叠并向下延伸到导电材料部分的通孔空腔。可使用缓冲氧化物刻蚀工艺，在缓冲氧化物刻蚀工艺中氮化硅层的刻蚀速率小于第一氧化硅层的刻蚀速率但足够显著，以在氮化硅层上提供锥形直侧壁。可提供包括图案化层堆叠的光学装置。

本发明授权图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构在权利要求书中公布了：1.一种图案化的氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的制作方法，包括：提供包括层堆叠以及下伏在所述层堆叠且上覆衬底的导电材料部分的结构，所述层堆叠从底部到顶部包含第一氧化硅层、氮化硅层及第二氧化硅层；在所述层堆叠之上形成包括从中穿过的开口的图案化刻蚀掩模层；通过使用各向同性刻蚀工艺各向同性刻蚀所述第二氧化硅层、所述氮化硅层以及所述第一氧化硅层的部分来形成延伸穿过所述层堆叠并向下延伸到所述导电材料部分的顶表面的通孔空腔，在所述各向同性刻蚀工艺中所述氮化硅层的刻蚀速率介于所述第一氧化硅层的刻蚀速率的110倍到所述第一氧化硅层的所述刻蚀速率的12倍范围内；在所述导电材料部分的所述顶表面上的所述通孔空腔中形成焊料材料部分；以及将半导体芯片结合至所述焊料材料部分。

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