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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010102519.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器及其形成方法是由高桥诚司设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括各自设置在半导体衬底内的第一光电探测器及第二光电探测器。隔离结构从所述半导体衬底的前侧表面延伸到所述半导体衬底的后侧表面。所述前侧表面与所述后侧表面相对，且所述隔离结构在侧向上位于所述第一光电探测器与所述第二光电探测器之间。读出晶体管设置在所述半导体衬底的所述前侧表面上。所述读出晶体管的第一侧上覆在所述第一光电探测器上且所述读出晶体管的第二侧上覆在所述第二光电探测器上。所述第一侧与所述第二侧相对且所述读出晶体管在所述隔离结构之上连续地延伸。

本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：第一光电探测器，设置在半导体衬底内；第二光电探测器，设置在所述半导体衬底内；隔离结构，从所述半导体衬底的前侧表面延伸到所述半导体衬底的后侧表面，其中所述前侧表面与所述后侧表面相对，且其中所述隔离结构在侧向上位于所述第一光电探测器与所述第二光电探测器之间；以及读出晶体管，设置在所述半导体衬底的所述前侧表面上，其中所述读出晶体管的第一侧上覆在所述第一光电探测器上且所述读出晶体管的第二侧上覆在所述第二光电探测器上，其中所述第一侧与所述第二侧相对，且其中所述读出晶体管在所述隔离结构之上连续地延伸，其中所述读出晶体管包括：读出栅极电极，其中所述读出栅极电极从所述第一光电探测器之上连续地延伸到所述第二光电探测器之上；第一源极漏极区，沿所述读出栅极电极的第一侧壁设置；以及第二源极漏极区，沿所述读出栅极电极的所述第一侧壁设置，其中所述第一侧壁上覆在所述第一光电探测器上。

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