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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010102081.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权集成电路及其形成方法是由徐鸿文;卢玠甫;曾凯;黄伟立设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：一种集成电路及其形成方法，所述集成电路包括上覆在衬底上的内连结构。所述内连结构具有上覆在衬底之上的多个金属层。第一介电层上覆在所述内连结构的最上表面上。所述第一介电层具有相对的侧壁，所述相对的侧壁界定沟槽。第一磁性层设置在沟槽内且沿着所述相对的侧壁共形地延伸。导电配线设置在沟槽内且上覆在第一磁性层上。第二磁性层上覆在第一磁性层及导电配线上。所述第二磁性层在横向上从所述相对的侧壁中的第一侧壁之上延伸到所述相对的侧壁中的第二侧壁。

本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：衬底；内连结构，具有设置在所述衬底之上的多个金属层；第一介电层，设置在所述内连结构的最上表面之上，其中所述第一介电层具有相对的侧壁，所述相对的侧壁界定沟槽；第一磁性层，设置在所述沟槽内且沿着所述相对的侧壁共形地延伸；导电配线，设置在所述沟槽内且上覆在所述第一磁性层上，其中所述导电配线的顶表面在垂直方向上位于所述第一磁性层的顶表面下方；以及第二磁性层，上覆在所述第一磁性层及所述导电配线上，其中所述第二磁性层在横向上从所述相对的侧壁中的第一侧壁之上延伸到所述相对的侧壁中的第二侧壁。

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