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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利光半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115023869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094364.4，技术领域涉及：H01S5/227；该发明授权光半导体装置的制造方法是由松本启资;铃木凉子设计研发完成，并于2020-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本光半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的光半导体装置具备：台面条带8，在n型InP基板1的表面依次层叠n型InP包覆层2、活性层3以及p型InP包覆层4而成；Fe掺杂半绝缘性InP层9，以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧；n型InP阻挡层10，在与活性层3的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面；p型InP包覆层6，形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面；以及p型InP包覆层12，埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层，p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高，而降低漏电流。

本发明授权光半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，所述光半导体装置的制造方法包含如下工序：在第一导电型半导体基板的表面依次层叠第一导电型包覆层、活性层以及第一的第二导电型包覆层后，再依次层叠蚀刻停止层和第二的第二导电型包覆层而形成半导体层的工序；对所述半导体层进行蚀刻而形成台面条带的工序；在所述台面条带的两侧形成埋入层的工序；在所述台面条带的顶部以及所述埋入层的表面形成第一导电型阻挡层的工序；在形成使所述第一导电型阻挡层的与所述活性层的从条带横截面方向观察时的中央部分对应的区域露出的掩模后，直到到达所述蚀刻停止层为止进行蚀刻而形成开口部的工序；除去所述掩模和所述蚀刻停止层的工序；以及在所述开口部以及所述第一导电型阻挡层的表面层叠第三的第二导电型包覆层后，层叠第二导电型接触层的工序，在所述第二的第二导电型包覆层与所述活性层之间的所述活性层的表面形成有载流子浓度比所述第二的第二导电型包覆层的载流子浓度低的所述第一的第二导电型包覆层，所述第三的第二导电型包覆层的载流子浓度设定为比所述第二的第二导电型包覆层的载流子浓度低，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。

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