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龙图腾网恭喜微软技术许可有限责任公司申请的专利量子装置的制作获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113330572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080009783.3，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权量子装置的制作是由P·阿塞夫;P·卡洛夫-高纳克设计研发完成，并于2020-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子装置的制作在说明书摘要公布了：在掩模阶段，非晶掩模的第一段被形成在基底的底层上。第一段包括暴露底层的第一组沟槽。在掩模阶段，非晶掩模的第二段被形成在底层上。第二段包括暴露该底层的第二组沟槽。这两个段不重叠。第一组沟槽中的一个沟槽的开口端面向第二组沟槽中的一个沟槽的开口端，但是端被非晶掩模的一部分分离。在半导体生长阶段，通过选择性区域生长，半导体材料被生长在第一组沟槽和第二组沟槽中以在底层上形成纳米线的第一子网络和第二子网络。纳米线的第一子网络和第二子网络被接合以形成单个纳米线网络。

本发明授权量子装置的制作在权利要求书中公布了：1.一种制作量子装置的方法，所述方法包括：在掩模阶段，在基底的底层上形成非晶掩模的第一段，其中所述第一段包括暴露所述底层的第一组沟槽；在所述掩模阶段，在所述底层上形成所述非晶掩模的第二段，其中所述第二段包括暴露所述底层的第二组沟槽，其中所述第一段和所述第二段是不重叠的，并且其中所述第一组沟槽中的一个沟槽的开口端面向所述第二组沟槽中的一个沟槽的开口端，但是这两个开口端被所述非晶掩模的一部分分离；在半导体生长阶段，通过选择性区域生长，在所述第一组沟槽和所述第二组沟槽中生长半导体材料，以在所述底层上形成纳米线的第一子网络和第二子网络；以及将纳米线的所述第一子网络和所述第二子网络接合，以在所述底层上形成单个纳米线网络。

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