恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司薛梅获国家专利权
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龙图腾网恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110890357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911346519.4,技术领域涉及:H10D80/00;该发明授权一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构是由薛梅;王启东;宋阳;王文杰;曹立强设计研发完成,并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构,包括:金属基底,所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体;芯片,所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中;介质层,所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙,并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面;导电通孔,所述导电通孔贯穿所述介质层,并与所述芯片电连接;布线层,所述布线层设置在所述介质层的下面,且电连接所述导电通孔;第二基底,所述第二基底设置在所述金属基底的上方;以及天线,所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
本发明授权一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构在权利要求书中公布了:1.一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构,包括:金属基底,所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体;芯片,所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中;介质层,所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙,并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面;导电通孔,所述导电通孔贯穿所述介质层,并与所述芯片电连接;布线层,所述布线层设置在所述介质层的下面,且电连接所述导电通孔;第二基底,所述第二基底设置在所述金属基底的上方;以及天线,所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
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