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龙图腾网恭喜通用电气公司申请的专利用于宽带隙超结功率器件的结终端的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113646898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092302.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权用于宽带隙超结功率器件的结终端的系统和方法是由斯蒂芬·戴利·阿瑟;维克多·马里奥·托雷斯;迈克尔·J·哈提格;列扎·甘迪;戴维·阿兰·利林菲尔德;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫设计研发完成，并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于宽带隙超结功率器件的结终端的系统和方法在说明书摘要公布了：公开的超结SJ器件包括形成SJ器件的第一SJ层的第一外延epi层，并且包括设置在第一SJ层上并形成SJ器件的器件层的第二epi层。第一epi层和第二epi层的有源区域包括：包括第一导电类型的特定掺杂浓度的第一组SJ柱、和包括第二导电类型的该特定掺杂浓度的第二组SJ柱。第一epi层和第二epi层的终端区域具有第一导电类型的小于该特定掺杂浓度的最小epi掺杂浓度，并且第二epi层的终端区域包括第二导电类型的多个浮空区，该多个浮空区形成SJ器件的结终端。

本发明授权用于宽带隙超结功率器件的结终端的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种超结SJ器件，包括：第一外延epi层，所述第一epi层形成所述SJ器件的第一SJ层；和第二epi层，所述第二epi层设置在所述第一SJ层上并且形成所述SJ器件的器件层，其中所述第一epi层和所述第二epi层的有源区域包括第一组SJ柱和第二组SJ柱，所述第一组SJ柱包括第一导电类型的第一掺杂浓度，所述第二组SJ柱包括第二导电类型的所述第一掺杂浓度，其中所述第一epi层的中间区域包含包括所述第一导电类型的所述第一掺杂浓度的SJ柱，并且所述第二epi层的中间区域包含改性的柱，所述改性的柱包括在所述第二epi层上部的改性部分和在所述第二epi层下部的未改性部分，所述改性部分具有所述第一导电类型的小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，所述未改性部分具有所述第一导电类型的所述第一掺杂浓度，其中所述第一epi层和所述第二epi层的终端区域包括所述第一导电类型的小于所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度的最小epi掺杂浓度，其中所述改性的柱设置成比所述第二epi层的所述第一组SJ柱更靠近所述第二epi层的终端区域，并且其中所述第二epi层的终端区域包括所述第二导电类型的多个浮空区，所述多个浮空区形成所述SJ器件的结终端，并且所述浮空区的宽度和或所述浮空区之间的间距随着距所述有源区域的距离增加而变化。

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