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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置以及半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112470291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980049489.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及半导体模块是由庄司敦;吉田崇一设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体模块在说明书摘要公布了：降低半导体装置的制造成本。提供半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，其设置于半导体基板；第一阱区以及第二阱区，其设置于半导体基板，并且第一阱区以及第二阱区在俯视时夹着有源部地配置；发射电极，其配置于有源部的上方；以及焊盘，其配置于第一阱区的上方，并与发射电极分离，并且在第二阱区的上方，配置有发射电极。还具备周边阱区，其在俯视时包围有源部地配置，第一阱区以及第二阱区相比于周边阱区可以向有源部的中央侧突出。

本发明授权半导体装置以及半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；有源部，其设置于所述半导体基板；第一阱区以及第二阱区，其设置于所述半导体基板，并且所述第一阱区以及所述第二阱区在俯视时夹着所述有源部地配置；发射电极，其配置于所述有源部的上方；以及焊盘，其配置于所述第一阱区的上方，并且与所述发射电极分离，在所述第二阱区的上方，配置有所述发射电极，所述半导体装置还具备分割阱区，所述分割阱区在俯视时划分所述有源部，所述分割阱区在预先确定的阱长边方向上具有长边，所述分割阱区具有在俯视时与所述阱长边方向垂直的方向上的宽度比其他部分的宽度宽的宽幅部，在所述宽幅部的上方配置有所述发射电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。