恭喜旺宏电子股份有限公司胡志玮获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利立体存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911239993.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权立体存储器元件是由胡志玮;叶腾豪设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本立体存储器元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种立体存储器元件，包含多个导电层以及多个绝缘层，其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构。多层叠层结构具有一阶梯区域以及一非阶梯区域，阶梯区域包含多个阶，每一阶包含这些导电层以及这些绝缘层其中紧邻的一对。多个存储器结构位于非阶梯区域，每一存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层。一鱼骨型介电结构包含一主干以及多个侧支，这些侧支在阶梯区域内从主干向外延伸，其中主干于非阶梯区域内穿越这些存储器结构。
本发明授权立体存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种立体存储器元件，包含：多个导电层以及多个绝缘层，彼此交错叠层以形成一多层叠层结构，其中该多层叠层结构具有一阶梯区域以及一非阶梯区域，该阶梯区域包含多个阶，每一个该阶包含这些导电层以及这些绝缘层其中紧邻的一对；多个存储器结构，位于该非阶梯区域，每一该存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层；以及一鱼骨型介电结构，包含一主干以及多个侧支，该主干穿过该阶梯区域及该非阶梯区域，且沿着垂直于该阶梯区域中多个阶的侧壁的方向延伸，这些侧支在该阶梯区域内从该主干向外延伸，其中该主干于该非阶梯区域内穿越这些存储器结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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