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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911106041.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备是由郑知远;金东真;金秉虎;金昌炫设计研发完成，并于2019-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备在说明书摘要公布了：制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备。一种制造倒装芯片封装的方法，该方法包括形成多个半导体芯片以及将半导体芯片结合到封装基板的步骤。该方法还包括对在封装基板上的多个半导体芯片进行电测试，对经测试的半导体芯片进行模制以及将经模制的芯片单片化的步骤。对半导体芯片进行电测试的步骤包括利用保护构件覆盖半导体芯片的步骤。

本发明授权制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备在权利要求书中公布了：1.一种制造倒装芯片封装的方法，该方法包括以下步骤：形成多个半导体芯片；将所述多个半导体芯片结合到封装基板；对在所述封装基板上的所述多个半导体芯片进行电测试，用于修复在电测试中被确定为异常的半导体芯片；对经测试的所述半导体芯片进行模制；以及将经模制的所述半导体芯片单片化，其中，对所述多个半导体芯片进行电测试的步骤包括利用保护构件覆盖所述半导体芯片的步骤，以及支撑并垂直移动所述封装基板，以将多个测试引脚与所述封装基板电连接的步骤，其中，所述保护构件包括多个底部，并且所述多个底部与所述封装基板连接，用于在所述电测试中单独地覆盖每个半导体芯片，并且其中，所述保护构件被配置为不与所述多个半导体芯片的任何外表面接触以在所述电测试中保护所述多个半导体芯片。

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