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龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利CMOS图像传感器读出电路及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112770067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911061216.8，技术领域涉及：H04N25/78；该发明授权CMOS图像传感器读出电路及其实现方法是由李杰设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS图像传感器读出电路及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS图像传感器读出电路及其实现方法，本发明的CMOS图像传感器中相邻多个像素单元为子像素单元矩阵，子像素单元矩阵具有两套读出电路系统，当环境状态为第一状态时，将子像素单元矩阵合并等效为1个像素单元通过第一套读出电路系统读出，实现电荷电压转换增益大于等于120μVe‑；当环境状态为第二状态时，将子像素单元矩阵的多个像素单元分别独自通过第二套读出电路系统读出，实现电荷电压转换增益小于等于100μVe‑。本发明的CMOS图像传感器读出电路及其实现方法，可以根据环境状态灵活调整读出电路的实现方式，满足不同应用场景的不同需求，改善成像质量，提高图像传感器的整体性能。

本发明授权CMOS图像传感器读出电路及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器读出电路的实现方法，其特征在于，所述图像传感器中相邻多个像素单元为子像素单元矩阵；其中，所述子像素单元矩阵具有两套读出电路系统，第一套读出电路系统包括设置于所述子像素单元矩阵的多个像素单元的光电二极管之间的开关晶体管，用于控制光电二极管的导通和关闭以实现光电二极管之间的电荷迁移；当环境状态为较暗光线条件下的第一状态时，所述开关晶体管打开，将子像素单元矩阵合并等效为1个像素单元通过第一套读出电路系统读出，实现电荷电压转换增益大于等于120μVe-；当环境状态为较亮光线条件下的第二状态时，将子像素单元矩阵的多个像素单元分别独自通过第二套读出电路系统读出，实现电荷电压转换增益小于等于100μVe-。

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