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龙图腾网恭喜瑞士艾发科技申请的专利沉积化合物层的真空系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980084495.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权沉积化合物层的真空系统和方法是由K·温兹;B·特拉伊切夫斯基;P·泽勒;M·克拉策设计研发完成，并于2019-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本沉积化合物层的真空系统和方法在说明书摘要公布了：通过溅射在至少一个板状衬底上沉积化合物层的真空装置，其包含：具有围绕中心轴线A的侧壁的真空腔室11，所述腔室包括‑至少一个用于工艺气体的入口13；‑至少一个用于惰性气体的入口14；‑衬底搬运开口15；‑基座5，包含在溅射隔室18的中心下部区中形成为衬底4支撑件的静电卡盘6，所述基座5以电隔离的方式安装并连接到第一电压源21的第一极，当溅射工艺活跃时，所述基座5还可在竖直方向上朝向和远离靶1从上部位置向下部位置移动，反之亦然；‑磁控管溅射源22，在所述源的前侧处包含靶1并在所述源的后侧处包含磁体系统23，靶1以电隔离的方式安装在腔室11的溅射隔室18的顶部19处的中心区中并连接到第二电压源25的第一极，‑阳极2，所述阳极2环绕靶1及至少包含衬底支撑件和ESC6的基座5的上部部分，从而形成溅射隔室的侧壁12，阳极2电连接到地；‑通过流动迷宫26连接到溅射隔室的底部20的泵隔室17，所述流动迷宫设计为在所述基座的上部和下部位置及其间的任何位置提供实质上相同的流导；连接到泵隔室17的真空泵系统16。

本发明授权沉积化合物层的真空系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种通过溅射在至少一个板状衬底上沉积化合物层的真空装置，所述真空装置包含：具有围绕中心轴线A的侧壁的真空腔室11，所述腔室包括：-至少一个用于工艺气体的入口13；-至少一个用于惰性气体的入口14；-衬底搬运开口15；-基座5，所述基座5包含在溅射隔室18的中心下部区中形成为衬底4支撑件的静电卡盘6，所述基座5以电隔离的方式安装并连接到第一电压源21的第一极，当溅射工艺活跃时，所述基座5还可在竖直方向上朝向和远离靶1从上部位置向下部位置移动，反之亦然；-磁控管溅射源22，所述磁控管溅射源22在所述源的前侧处包含靶1并在所述源的后侧处包含磁体系统23，所述靶1以电隔离的方式安装在所述腔室11的所述溅射隔室18的顶部19处的中心区中并连接到第二电压源25的第一极，-阳极2，所述阳极2环绕所述靶1及至少包含所述衬底4支撑件和所述静电卡盘6的所述基座5的上部部分，从而形成所述溅射隔室的所述侧壁12，所述阳极2电连接到地；-泵隔室17，所述泵隔室17通过流动迷宫26连接到所述溅射隔室的底部20，所述流动迷宫设计为在所述基座的上部和下部位置及在其间的任何位置提供实质上相同的流导；真空泵系统16，所述真空泵系统16连接到所述泵隔室17；其中，连接到地的暗空间护罩8至少环绕所述基座5的底座5'以暗空间距离提供，所述暗空间护罩8形成环形泵通道的一个侧壁，并可与基座一起移动，其中第二通道护罩9相对于中心轴线A形成外侧壁，从而能够形成所述环形泵通道，所述第二通道护罩安装到暗空间护罩8并可与之一起移动。

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