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龙图腾网恭喜环球展览公司申请的专利深最高占用分子轨道（HOMO）发射体装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911012373.X，技术领域涉及：H10K50/12；该发明授权深最高占用分子轨道（HOMO）发射体装置结构是由瓦季姆·阿达莫维奇;埃里克·A·玛格里斯;皮埃尔-吕克·T·布德罗设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本深最高占用分子轨道（HOMO）发射体装置结构在说明书摘要公布了：所公开主题涉及深最高占用分子轨道homo发射体装置结构。所公开主题的实施例提供一种有机发光二极管OLED，其具有阳极、阴极、安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层以及安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层。所述发射层可以包括磷光掺杂剂，其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5％掺杂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射。所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量可以小于或等于‑5.1eV，并且所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。

本发明授权深最高占用分子轨道（HOMO）发射体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种有机发光二极管OLED，其包含：阳极；阴极；安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层；和安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层，其中所述发射层包含磷光掺杂剂，其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5％掺杂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射，其中所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量小于或等于-5.2eV，并且其中所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。

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